肖特基二****管整流_苏州威富瑞二****管_威海肖特基二****管

肖特基二****管特点

肖特基二****管是一种低功耗、大电流、超高速半导体器件，肖特基二****管整流，其反向恢复时间可小到几个纳秒，肖特基二****管开关，正向导通压降仅0.4v左右，而整流电流却可以达到几千安。

肖特基二****管是*（金、银、铝、铂等）A为正****，以N型半导体B为负****，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。因为N型半导体中存在着大量的电子，*中仅有****少量的自由电子，所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。显然，金属A中没有空穴，也就不存在空穴自A向B的扩散运动。

肖特基二****管

SBD具有开关频率高和正向压降低等优点，但其反向击穿电压比较低，大多不高于60V，高仅约100V，以致于限制了其应用范围。像在开关电源(SMPS)和功率因数校正(PFC)电路中功率开关器件的续流二****管、变压器次级用100V以上的高频整流二****管、RCD缓冲器电路中用600V~1.2kV的高速二****管以及PFC升压用600V二****管等，碳化硅肖特基二****管，只有使用快速恢复外延二****管(FRED)和超快速恢复二****管(UFRD)。

肖特基二****管

典型的肖特基整流管的内部电路结构是以N型半导体为基片，在上面形成用kun作掺杂剂的N-外延层。阳****使用钼或铝等材料制成阻档层。用二氧化硅(SiO2)来消除边缘区域的电场，威海肖特基二****管，****管子的耐压值。N型基片具有很小的通态电阻，其掺杂浓度较H-层要高100%倍。在基片下边形成N 阴****层，其作用是减小阴****的接触电阻。