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相对介电常数εr可以用静电场用如下方式测量：首先在两块****板之间为真空的时候测试电容器的电容C0。然后，用同样的电容****板间距离但在****板间加入电介质后测得电容Cx。然后相对介电常数可以用下式计算εr=Cx/C0在标准大气压下，不含二氧化碳的干燥空气的相对电容率εr=1.00053。因此，用这种电****构形在空气中的电容Ca来代替C0来测量相对电容率εr时，也有足够的准确度。（参考GB/T 1409-2006）对于时变电磁场，物质的介电常数和频率相关，通常称为介电系数。 [1]

"介电常数" 在工具书中的解释：1.又称电容率或相对电容率，表征电介质或绝缘材料电性能的一个重要数据，常用ε表示。它是指在同一电容器中用同一物质为电介质和真空时的电容的比值，表示电介质在电场中贮存静电能的相对能力。空气和CS2的ε值分别为1.0006和2.6左右，而水的ε值较大，10℃时为 83.83。2.介电常数是物质相对于真空来说增加电容器电容能力的度量。介电常数随分子偶****矩和可****化性的*而*。在化学中，介电常数是溶剂的一个重要性质，它表征溶剂对溶质分子溶剂化以及隔开离子的能力。介电常数大的溶剂，有较大隔开离子的能力，介电常数测量仪好不好，同时也具有较强的溶剂化能力。介电常数用ε表示，一些常用溶剂的介电常数见下表：

早在1997年，人们就认为在2003年，集成电路工艺中将使用的绝缘材料的介电常数（k值）将达到1.5。然而随着时间的推移，这种乐观的估计被不断更新。

到2003年，国际半导体技术规划（ITRS 2003[7]）给出低介电常数材料在集成电路未来几年的应用，其介电常数范围已经变成2.7~3.1。造*们的预计与现实如此大差异的原因是，在集成电路工艺中，低介电常数材料必须满足诸多条件，例如：足够的机械强度（MECHANICAL strength）以支撑多层连线的架构、高杨氏系数（Young"s modulus）、高击穿电压（breakdown voltagegt;4MV/cm）、低漏电（leakage currentlt;10-9 at 1MV/cm）、高热稳定性（thermal stability gt;450oC）、良好的粘合强度（adhesi*trength）、低吸水性（low moisture uptake）、低薄膜应力（low film stress）、高平坦化能力（planarization）、低热涨系数（coefficie*f thermal expansion）以及与化学机械抛光工艺的兼容性（compatibility with CMP process）等等。能够满足上述特性的低介电常数材料并不容易获得。例如，薄膜的介电常数与热传导系数往往就呈反比关系。因此，低介电常数材料本身的特性就直接影响到工艺集成的难易度。

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