湖北省高频介电常数测试仪效果怎么样？|品牌推荐

【北京冠测精电仪器设备有限公司】专注于材料电学性能检测仪器研发10年，为客户提供一站式电学性能检测方案：介电强度测试仪、导体﹨半导体﹨粉体﹨绝缘体电阻率测试仪、介电常数测试仪、耐电弧试验仪、高压漏电起痕试验仪、电线电缆漏电起痕试验仪、阻温函数仪、介电温谱测量系统等

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"介电常数" 在学术文献中的解释：1.介电常数是指物质保持电荷的能力，损耗因数是指由于物质的分散程度使能量损失的大小。理想的物质的两项参数值较小。介电常数与频率变化的关系 其介质常数具有复数形式，实数部分称为介电常数，虚数部分称为损耗因子。通常用损耗角的正切值tanθ（损耗因子与介电常数之比）来表示材料与微波的耦合能力，损耗正切值越大，材料与微波的耦合能力就越强。3.介电常数是指在同一电容器中用某一物质为电介质与该电容器在真空中的电容的比值。在高频线路中信号传播速度的公式如下：V=K。4.为简单起见，后面将相对介电常数均称为介电常数。反射脉冲信号的强度，与界面的波反射系数和透射波的衰减系数有关，主要取决于周围介质与反射体的电导率和介电常数。 [2]

早在1997年，人们就认为在2003年，集成电路工艺中将使用的绝缘材料的介电常数（k值）将达到1.5。然而随着时间的推移，这种乐观的估计被不断更新。

到2003年，高频介电常数测试仪大图，国际半导体技术规划（ITRS 2003[7]）给出低介电常数材料在集成电路未来几年的应用，其介电常数范围已经变成2.7~3.1。造*们的预计与现实如此大差异的原因是，在集成电路工艺中，低介电常数材料必须满足诸多条件，例如：足够的机械强度（MECHANICAL strength）以支撑多层连线的架构、高杨氏系数（Young"s modulus）、高击穿电压（breakdown voltagegt;4MV/cm）、低漏电（leakage currentlt;10-9 at 1MV/cm）、高热稳定性（thermal stability gt;450oC）、良好的粘合强度（adhesi*trength）、低吸水性（low moisture uptake）、低薄膜应力（low film stress）、高平坦化能力（planarization）、低热涨系数（coefficie*f thermal expansion）以及与化学机械抛光工艺的兼容性（compatibility with CMP process）等等。能够满足上述特性的低介电常数材料并不容易获得。例如，薄膜的介电常数与热传导系数往往就呈反比关系。因此，低介电常数材料本身的特性就直接影响到工艺集成的难易度。

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