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蓝宝石衬底上典型的UV-LED外延结构图。与GaN基蓝光LED相比，深紫外LED的研制面临着许多*的技术困难，如：高Al组分AlGaN的材料的外延生长困难，一般而言，Al组分越高，晶体质量越低，位错密度普遍在109cm-2—1010cm-2乃至更高； AlGaN材料的掺杂与GaN相比要困难得多，不论n型掺杂还是p型掺杂，随着Al组分的增加，gan芯片，外延层的电导率迅速降低，尤其是p-AlGaN的掺杂尤为棘手，掺杂剂Mg的激i活效率低下，导致空穴不足，导电性和发光效率锐降；同时紫外LED往往在平面蓝宝石衬底上外延生长，出光效率低等等。针对这些技术难点，目前已经发展出一些解决方案，如AlN同质衬底技术、纳米图形衬底外延技术（NPSS）和透明p型层技术等等。

然而，紫外检测器批发，不管是氮化*或碳化硅，由于是新材料、新制程，因此相关组件的价格至今仍比硅组件高出一截，形成导入障碍。 因此，不管是英飞凌、罗姆、德州仪器或戴乐格，在营销推广的策略上，都是以价值诉求作为操作*。

马国伟就坦言，碳化硅组件的价格大约是同级硅组件的3～4倍之间，故许多客户在导入时会有一定疑虑。 因此，在市场营销推广上，英飞凌会优先锁定硅组件无法切入或缺点非常明显的市场优先布局，藉由创造经济规模的方法来****碳化硅组件的成本结构。

事实上，以英飞凌为例，目前该公司的碳化硅组件生产已经从4吋晶圆升级到6吋晶圆，未来若市场需求继续成长，继续朝8吋，甚至12吋晶圆转进，也是有可能的。 而随着晶圆尺寸放大，碳化硅组件的成本将会比现在更有竞争力。

罗姆则是从整体成本的角度切入。 目前碳化硅组件的单价确实仍比传统硅组件高出数倍之多，但由于逆变器这类应用设备****主要的成本来自散热片跟磁性组件，其中磁性组件的成本占比更可高达40%。 因此，宿迁紫外检测器，只要能节省磁性组件与散热片的使用量，即便碳化硅组件单价很高，从总成本的角度来看，还是有竞争力。

相较之下，氮化*与传统硅组件之间虽也有价差，但不像碳化硅与硅组件之间那么明显，因此可以用应用市场区隔的方式来操作。 萧进皇认为，目前德州仪器是以高阶、小型化电源系统应用作为氮化*产品线锁定的主力市场，因此会与硅组件有一定程度的自然区隔存在。

但整体来说，不管是氮化*或碳化硅，****终都是要以硅组件作为参照点，紫外检测器厂家，其应用设计跟报价，都是越接近硅组件，越能说服客户转向新技术。 要达到这个目标，虽然还需要一段时间酝酿，但却不是遥不可及的梦想，在有量就有Cost Down的电子产业，只要能创造经济规模，报价松动就会紧接而来。

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