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新洁能MOS管、威富瑞

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新洁能MOS管、威富瑞

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MOSFET:

通过采用****的沟槽栅工艺技术和电流通路布局结构,新洁能MOSFET实现了功率密度大化,新洁能MOS管,从而大幅度降低电流传导过程中的导通功率损耗。同时,电流在芯片元胞当中的流通会更加均匀稳定;应对于高频率的开关应用,我们为设计师们提供低开关损耗的系列产品(产品名称后加标C),其有效降低了栅****电荷(Qg),尤其是栅****漏****间的电荷(Qgd),从而在快速开关过程中降低开关功率损耗。通过采用这些****的技术手段,MOSFET的FOM(品质因子)得以实现行业内的水平。


MOS管工作原理,就是这么简单

MOS管

MOS管的内部结构如下图所示;其导通时只有一种****性的载流子(多子)参与导电,是单****型晶体管。导电机理与小功率MOS管相同,但结构上有较大区别,小功率MOS管是横向导电器件,功率MOSFET大都采用垂直导电结构,又称为VMOSFET,大大****了MOSFET器件的耐压和耐电流能力。


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