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通过调整结构参数，N型基片和阳****金属之间便形成肖特基势垒，如图所示。当在肖特基势垒两端加上正向偏压(阳****金属接电源正****，N型基片接电源负****)时，肖特基势垒层变窄，其内阻变小;反之，若在肖特基势垒两端加上反向偏压时，肖特基 二****管厂家，肖特基势垒层则变宽，其内阻变大。

肖特基整流管的结构原理与PN结整流管有很大的区别通常将PN结整流管称作结整流管，而把金属-半导管整流管叫作肖特基整流管，采用硅平面工艺制造的铝硅肖特基二****管也已问世，这不仅可节省*，肖特基二****管电源，大幅度降低成本，还****了参数的一致性。

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1999年，美国Purdue大学在美国海jun资助的MURI项目中，研制成功4.9kV的SiC功率SBD，使SBD在耐压方面取得了根本性的突破。 SBD的正向压降和反向漏电流直接影响SBD整流器的功率损耗，关系到系统效率。低正向压降要求有低的肖特基势垒高度，肖特基二****管贴片，而较高的反向击穿电压要求有尽可能高的势垒高度，肖特基二****管，这是相矛盾的。因此，对势垒金属必须折衷考虑，故对其选择显得十分重要。对N型SiC来说，Ni和Ti是比较理想的肖特基势垒金属。

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其它折叠高压SBD长期以来，在输出12V~24V的SMPS中，次级边的高频整流器只有选用100V肖特基二****管的SBD或200V的FRED。在输出24V~48V的SMPS中，只有选用200V~400V的FRED。设计者迫切需要介于100V~200V之间的150VSBD和用于48V输出SMPS用的200VSBD。近两年来，美国IR公司和APT公司以及ST公司瞄准高压SBD的巨大商机，先后开发出150V和200V的SBD。这种高压SBD比原低压SBD在结构上增加了PN结工艺，形成肖特基势垒与PN结相结合的混合结构。