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肖特基二****管特点

肖特基二****管是一种低功耗、大电流、超高速半导体器件,其反向恢复时间可小到几个纳秒,肖特基二****管厂,正向导通压降仅0.4v左右,而整流电流却可以达到几千安。

肖特基二****管是*(金、银、铝、铂等)A为正****,以N型半导体B为负****,利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。因为N型半导体中存在着大量的电子,*中仅有****少量的自由电子,所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。显然,金属A中没有空穴,也就不存在空穴自A向B的扩散运动。


肖特基二****管

早期的真空电子二****管;它是一种能够单向传导电流的电子器件。在半导体二****管内部有一个PN结两个引线端子,这种电子器件按照外加电压的方向,具备单向电流的传导性。一般来讲,晶体二****管是一个由p型半导体和n型半导体烧结形成的p-n结界面。在其界面的两侧形成空间电荷层,构成自建电场。当外加电压等于零时,检波肖特基二****管,由于p-n 结两边载流子的浓度差引起扩散电流和由自建电场引起的*移电流相等而处于电平衡状态,肖特基二****管厂商,这也是常态下的二****管特性。

早期的二****管包含“猫须晶体”以及真空管。现今****普遍的二****管大多是使用半导体材料如硅或锗。


肖特基二****管

快恢复二****管是指反向恢复时间很短的二****管(5us以下),肖特基二****管,工艺上多采用掺金措施,结构上有采用PN结型结构,有的采用改进的PIN结构。其正向压降高于普通二****管(1-2V),反向耐压多在1200V以下。从性能上可分为快恢复和超快恢复两个等级。前者反向恢复时间为数百纳秒或更长,后者则在100纳秒以下。 肖特基二****管是以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二****管,简称肖特基二****管(Schottky Barrier Diode),具有正向压降低(0.4--0.5V)。


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