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溅射靶材

北京石久高研金属材料有限公司成立于2005年, 石久高研致力于镀膜靶材和蒸发料的研发和生产工作,为电子行业、玻璃工业、数据存储、装饰镀膜、工具镀膜等行业的镀膜企业提供*的靶材和蒸发料。公司主营金属靶材、金属材料、光学镀膜材料等。

溅射靶材原理: 以pld为例,因素主要有:靶材与基片的晶格匹配程度  镀膜氛围(低压气体氛围)  基片温度  激光器功率  脉冲频率  溅射时间  对于不同的溅射材料和基片,尽量参数需要实验确定,是各不相同的,镀膜设备的好坏主要在于能否准确控温,能否保证好的真空度,能否保证好的真空腔清洁度。

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靶材要求:

纯度 陶瓷靶材的纯度对溅射薄膜的性能影响很大,陶瓷靶材的纯度越高,溅射薄膜的均匀性和批量产品质量的一致性越好。近年来随着微电子产业的迅速发展,硅器件布线宽度已发展到0.13μm,对成膜面积的薄膜均匀性要十分严格,一氧化硅供应商,其纯度必须大于4N。此外显示平面用的ITO靶材对纯度也要求十分严格,要求ITO的纯度都大于4N。磁性薄膜用陶瓷靶材的纯度也要不低于3N。靶材作为溅射中的阴****源,固体中的杂质是沉积薄膜的主要污染源,如:碱金属离子(Na 、K )易在绝缘层(SiO)中成为可移动性离子,一氧化硅厂家,降低元器件性能,其含量须在0.01ppm(重量)以下。

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靶*现象

(1)正离子堆积:靶*时,靶面形成一层绝缘膜,正离子到达阴****靶面时由于绝缘层的阻挡,不能直接进入阴****靶面,而是堆积在靶面上,容易产生冷场致弧光放电---打弧,使阴****溅射无法进行下去。(2)阳****消失:靶*时,接地的真空室壁上也沉积了绝缘膜,到达阳****的电子无法进入阳****,形成阳****消失现象。


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