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典型的肖特基整流管的内部电路结构是以N型半导体为基片，常用肖特基二****管价格，在上面形成用SHEN作掺杂剂的N-外延层。阳****使用钼或铝等材料制成阻档层。用二氧化硅（SiO2）来消除边缘区域的电场，肖特基二****管 应用，****管子的耐压值。N型基片具有很小的通态电阻，其掺杂浓度较H-层要高100%倍。在基片下边形成N 阴****层，其作用是减小阴****的接触电阻。通过调整结构参数，N型基片和阳****金属之间便形成肖特基势垒，如图所示。当在肖特基势垒两端加上正向偏压（阳****金属接电源正****，N型基片接电源负****）时，肖特基势垒层变窄，其内阻变小；反之，若在肖特基势垒两端加上反向偏压时，肖特基势垒层则变宽，其内阻变大。

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