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光电倍增管的伏安特性

光电倍增管的伏安特性

（a）阴****伏安特性 在入射到光电倍增管阴****面上的光 通量一定时，阴****电流与阴****和头倍 增****之间的电压（称阴****电压）的关系 曲线叫阴****伏安特性，经研究，在阴**** 电压较小时，阴****电流随着阴****电压的 *而增加，光电倍增管多少钱，直到阴****电压大于一定值 后，阴****电流才趋向饱和，且与入射光 通量成线性关系。 伏安特性

（b）阳****伏安特性 在入射到光电倍增管阳****面上的光 通量一定时，阳****电流与阳****和末级倍 增****之间的电压（称阳****电压）的关系 曲线叫阳****伏安特性。性质同阴****伏安 特性。

光电倍增管

中核控制系统工程有限公司立足高标准、高起点、高水平的经营理念，光电倍增管供应商，集科研、生产于一体，业务范围涵盖核工程数字化控制系统产品研发、设计、系统制造、系统集成、工程实施及售后服务等全过程整体解决方案，制造*子仪器、环境监测仪器、实验室仪器、堆测量控制仪器、气体电离探测器、光电倍增管、无机有机核探测器、半导体探测器以及与上述业务相关的技术服务、产品及技术进出口、代理进出口等业务。

原理

每个硅光电倍增管由大量的（几百到几千个）雪崩二****管（APD）单元组成，每一个单元由一个APD和一个大阻值淬灭电阻串联而成，这些微元并联成一个面阵列。为硅光电倍增管加上反向偏压（一般是几十伏）后，每个微元的APD耗尽层有很高的电场，此时若外界有光子打进来，会和半导体中的电子空穴对发生康普顿散射，光电倍增管，打出电子或空穴（这句话不准确，只为方便理解），高能的电子和空穴随即在电场中加速，打出大量的次级电子和空穴，即雪崩。此时每个微元电路中电流突然变大，在淬灭电阻R上降落的电压也变大，光电倍增管价格，APD中的电场瞬间变小，即APD输出一个瞬时电流脉冲后雪崩停止，不同微元的淬灭电阻阻值相同，所以理论上讲每个微元会输出等大的脉冲。APD是模拟器件，但宏观来看每个微元都是逻辑单元，有信号输出是“1”，没有信号就是“0”。在硅光电倍增管的动态范围内，它输出电流的大小就和发生雪崩的微元数成正比。

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