半导体探测器_中核控制_半导体探测器用途

半导体探测器

中核控制系统工程有限公司立足高标准、高起点、高水平的经营理念，半导体探测器，集科研、生产于一体，半导体探测器品牌，业务范围涵盖核工程数字化控制系统产品研发、设计、系统制造、系统集成、工程实施及售后服务等全过程整体解决方案，制造*子仪器、环境监测仪器、实验室仪器、堆测量控制仪器、气体电离探测器、光电倍增管、无机有机核探测器、半导体探测器以及与上述业务相关的技术服务、产品及技术进出口、代理进出口等业务。

半导体探测器[1] 是以半导体材料为探测介质的辐射探测器。****通用的半导体材料是锗和硅，其基本原理与气体电离室相类似，故又称固体电离室。半导体探测器的基本原理是带电粒子在半导体探测器的灵敏体积内产生电子－空穴对，电子－空穴对在外电场的作用下*移而输出信号。常用半导体探测器有 P-N结型半导体探测器、 锂*移型半导体探测器和高纯锗半导体探测器。词条详细介绍了上述三种半导体探测器的原理、特点、工作条件等等。

半导体探测器

中核控制系统工程有限公司立足高标准、高起点、高水平的经营理念，集科研、生产于一体，业务范围涵盖核工程数字化控制系统产品研发、设计、系统制造、系统集成、工程实施及售后服务等全过程整体解决方案，半导体探测器厂家，制造*子仪器、环境监测仪器、实验室仪器、堆测量控制仪器、气体电离探测器、光电倍增管、无机有机核探测器、半导体探测器以及与上述业务相关的技术服务、产品及技术进出口、代理进出口等业务。

P-N结半导体探测器的类型扩散结(Diffused Junction)型探测器采用扩散工艺——高温扩散或离子注入[2] ；材料一般选用P型高阻硅，半导体探测器用途，电阻率为1000；在电****引出时一定要保证为欧姆接触，以****形成另外的结。金硅面垒(Surface Barrier)探测器一般用N型高阻硅，表面蒸金50～100μg/cm2 氧化形成P型硅，而形成P-N结。工艺成熟、简单、价廉。

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