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CCD芯片的尺寸CCD的成像尺寸常用的有1/2"、1/3"等,成像尺寸越小的摄像机的体积可以做得更小些。在相同的光学镜头下,成像尺寸越大,视场角越大。芯片规格 成像面大小(宽X高) 对角线 1/2 6.4x4.8mm 8mm 1/3 4.8x3.6mm 6mm.

像素:这个是常见的参数。在芯片确定的情况下,像素越高,灵敏度越低,两者是反比关系,所以像素不是越高越好,CCD质量哪家好,在像素够用的情况下应尽量优先确保灵敏度。




NEW STRUCTURE CCD

在摄影机的光学镜头的光圈F值不断的提升下,进入到摄影机内的斜光就越来越多,CCD公司电话,使得入射到CCD组件的光无法百分之1百的被聚焦到感测器上,而CCD感测器的感度将会降低。1998年索1尼公司为****这个问题,CCD,将彩色滤光片和遮光膜之间再加上一层内部的镜片。加上这层镜片后可以****内部的光路,使斜光也可以被聚焦到感光器。而且同时将硅基板和电****间的绝缘层薄膜化,让会造成垂直CCD画面杂讯的讯号不会进入,使SMEAR特性****。

2006年元月,波义耳和史密1斯获颁电机电子工程师学会(IEEE)颁发的Charles Stark Draper奖章,以表彰他们对CCD发展的贡献。

北京时间2009年10月6日,2009年诺贝尔物理学奖揭晓,瑞典皇家科学院诺贝尔奖委1员会宣布将该奖项授予一名中国香港科学家高锟(Charles K. Kao)和两名科学家维拉·博伊尔(WillaS. Boyle)和乔治·史密1斯(George E. Smith)。科学家Charles K. Kao 因为“在光学通信领域中光的传输的开创性成就” 而获奖,科学家因博伊尔和乔治-E-史密1斯因“发明了成像半导体电路——电荷藕合器件图像传感器CCD” 获此殊荣。




CCD光电荷的转移途径:有CCD表面沟道(SCCD)和体沟道(BCCD,也称为埋沟道CCD)两种方式。表面沟道CCD的电荷转移途径距离半导体-绝缘体分界面较近,工艺简单,动态范围大,但信号电荷的转移受表面态的影响,转移速度和转移效率低,工作频率一般在10MHz以下。为了消除这种现象,以****CCD的工作速度,用离子注入方法转移沟道的结构,从而使势能****小值脱离界面而进入衬底内部,形成体内的转移沟道,避免了表面态的影响,这就是体沟道CCD.体沟道CCD的转移效率大大****,工作频率可高达100MHz,且能做成大规模器件。


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