昆山迎福泰光电(图)_CCD公司电话_CCD

CCD的性能特性：转移效率和转移损失率电荷包从一个势阱向另一个势阱转移时，需要一个过程。像素中的电荷在离开芯片之前要在势阱间移动上千次或更多，这要求电荷转移效率****其高，CCD，否则光电子的有效数目会在读出过程中损失严重。引起电荷转移不完全的主要原因是表面态对电子的俘获，转移损失造成信号退化。采用“胖零”技术可减少这种损耗。时钟频率的上、下限下限取决于非平衡载流子的平均寿命，上限取决于电荷包转移的损失率，即电荷包的转移要有足够的时间。动态范围表征同一幅图像中****强但未饱和点与****弱点强度的比值。数字图像一般用DN表示。

CCD的功能特性：线阵CCD通常将CCD内部电****分成数组，每组称为一相，并施加同样的时钟脉冲。所需相数由CCD芯片内部结构决定，结构相异的CCD可满足不同场合的使用要求。线阵CCD有单沟道和双沟道之分，其光敏区是MOS电容或光敏二****管结构，生产工艺相对较简单。它由光敏区阵列与移位寄存器扫描电路组成，CCD，特点是处理信息速度快，外围电路简单，易实现实时控制，但获取信息量小，不能处理复杂的图像（线阵CCD如右图所示）。面阵CCD的结构要复杂得多，它由很多光敏区排列成一个方阵，并以一定的形式连接成一个器件，CCD销售，获取信息量大，能处理复杂的图像。

CCD是于1969年由美国贝尔实验室（Bell Labs）的维拉·波义耳(Willard. Boyle）和乔治·（GeorgeE. Smith）所发明的。当时贝尔实验室正在发展影像电话和半导体气泡式内存。将这两种新技术结合起来后，波义耳和得出一种装置，他们命名为“电荷‘气泡’元件”（Charge "Bu*le" Devices）。但随即发现光电效应能使此种元件表面产生电荷，而组成数位影像。　到了70年代，贝尔实验室的研究员已经能用简单的线性装置捕1捉影像，CCD就此诞生。

1、HAD感测器

HAD(HOLE-ACCUMULATION DIODE)传感器是在N型基板，P型，N 2****体的表面上，加上正孔蓄积层，这是S*的构造。由于设计了这层正孔蓄积层，CCD公司电话，可以使感测器表面常有的暗电流问题获得解决。另外，在N型基板上设计电子可通过的垂直型隧道，使得开口率****，换句换说，也****了感度。在80年代初期，将其使用在可变速电子快门产品中，在拍摄移动快速的物体也可获得清晰的图象。

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