东莞尼康步进光刻机_尼康步进光刻机_晋宇达

     随着光刻技术的不断发展，光学光刻已从传统的G线、I线到，发展到远紫外，197nm以及157nm，设备的占用成本越来越高，而随着集成电路设计尺寸的继续缩小，更为严格的套刻指标和巨额的设备成本，混合匹配使用将成为一种必然的需要。各种混合匹配，以及光学光刻之后下一代光刻系统的混合匹配是需要不断研究的新课题。

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     步进重复投影*（Stepping-repeating Project Printing或称作Stepper）。80年代末～90年代，0.35μm（I line）～0.25μm（DUV）。掩膜板缩小比例（4：1），*区域（Ex*ure Field）22×22mm（一次*所能覆盖的区域）。增加了棱镜系统的制作难度。

光刻机的演变及今后发展趋势

      微电子技术的发展一直是光刻设备和技术变革的动力，21世纪光刻技术将继续居于诸多技术*。本文通过介绍光刻机的演变和所面临的挑战，揭示下一代光刻设备的发展潜力，通过比较浸没式光刻、****紫外光刻机和电子束*机的开发现状和特点，预言将来利用****紫外光刻机、电子束*机和光学光刻机的结合，实现产业需要的各种图形的制备。