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MOSFET的核心：金属—氧化层—半导体电容

    金属—氧化层—半导体结构MOSFET在结构上以一个金属—氧化层—半导体的电容为核心，氧化层的材料多半是二氧化硅，其下是作为基****的硅，而其上则是作为栅****的多晶硅。这样子的结构正好等于一个电容器（capacitor），氧化层扮演电容器中介电质（dielectric material）的角色，而电容值由氧化层的厚度与二氧化硅的介电常数（dielectric c*tant）来决定。栅****多晶硅与基****的硅则成为MOS电容的两个端点。

场效应管与三****管的各自应用特点

1.场效应管的源****s、栅****g、漏****d分别对应于三****管的发射****e、基****b、集电****c，它们的作用相似。

2.场效应管是电压控制电流器件，由vGS控制iD，其放大系数gm一般较小，因此场效应管的放大能力较差；三****管是电流控制电流器件，由iB（或iE）控制iC。

场效应管

场效应管

3.场效应管栅****几乎不取电流（ig»0）；而三****管工作时基****总要吸取一定的电流。因此场效应管的栅****输入电阻比三****管的输入电阻高。

   MOSFET在概念上属于“绝缘栅****场效晶体管”（Insulated-Gate Field Effect Transistor,IGFET），而IGFET的栅****绝缘层有可能是其他物质而非MOSFET使用的氧化层。有些人在提到拥有多晶硅栅****的场效晶体管元件时比较喜欢用IGFET，但是这些IGFET多半指的是MOSFET。

   MOSFET里的氧化层位于其通道上方，依照其操作电压的不同，这层氧化物的厚度仅有数十至数百埃（Å）不等，通常材料是二氧化硅（silicon dioxide,SiO2），不过有些新的进阶制程已经可以使用如氮氧化硅（silicon oxynitride,SiON）做为氧化层之用。