二****管|金诚信|双向触发二****管

半导体二****管又称晶体二****管,简称二****管(diode)。它是一种能够单向传导电流的电子器件。在半导体二****管内部有一个PN结两个引线端子，这种电子器件按照外加电压的方向，具备单向电流的传导性。 按材料分有锗、硅或****；按结构分有点接触、pn结、pin、肖特基势垒、异质结；按原理分有隧道、变容、雪崩和阶跃恢复等。主要用于检波、混频、参量放大、开关、稳压、整流等。光通信发展后，出现发光、光电、雪崩光电、pin光电、半导体激光等二****管。

场效应管是一种单****型晶体管,它只有一个P-N结,在零偏压的状态下,它是导通的,如果在其栅****(G)和源****(S)之间加上一个反向偏压(称栅****偏压)在反向电场作用下P-N变厚(称耗尽区)沟道变窄,其漏****电流将变小,(如图C1-b),反向偏压达到一定时,耗尽区将完全沟道'夹断',此时,场效应管进入截止状态如图C-c,此时的反向偏压我们称之为夹断电压,用Vpo表示,它与栅****电压Vgs和漏源电压Vds之间可近以表示为Vpo=Vps+|Vgs|,这里|Vgs|是Vgs的****值.

在制造场效应管时,如果在栅****材料加入之前,在沟道上先加上一层很薄的绝缘层的话,则将会大大地减小栅****电流,也大大地增加其输入阻*,由于这一绝缘层的存在,场效应管可工作在正的偏置状态,我们称这种场效应管为绝缘栅型场效应管,又称MOS场效应管,所以场效应管有两种类型,一种是绝缘栅型场效应管,它可工作在反向偏置,零偏置和正向偏置状态,一种是结型栅型效应管,它只能工作在反向偏置状态.

一）普通二****管的检测（包括检波二****管、整流二****管、阻尼二****管、开关二****管、续流二****管）是由一个PN结构成的半导体器件，具有单向导电特性。通过用万用表检测其正、反向电阻值，可以判别出二****管的电****，还可估测出二****管是否损坏。

1．****性的判别将万用表置于R×100档或R×1k档，两表笔分别接二****管的两个电****，测出一个结果后，对调两表笔，再测出一个结果。两次测量的结果中，有一次测量出的阻值较大（为反向电阻），一次测量出的阻值较小（为正向电阻）。在阻值较小的一次测量中，黑表笔接的是二****管的正****，红表笔接的是二****管的负****。

2．单负导电性能的检测及好坏的判断通常，锗材料二****管的正向电阻值为1kΩ左右，反向电阻值为300左右。硅材料二****管的电阻值为5 kΩ左右，反向电阻值为∞（无穷大）。正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。正、反向电阻值相差越悬殊，说明二****管的单向导电特性越好。　若测得二****管的正、反向电阻值均接近0或阻值较小，则说明该二****管内部已击穿短路或漏电损坏。若测得二****管的正、反向电阻值均为无穷大，则说明该二****管已开路损坏。

3．反向击穿电压的检测二****管反向击穿电压（耐压值）可以用晶体管直流参数测试表测量。其方法是：测量二****管时，应将测试表的“NPN/PNP”选择键设置为NPN状态，再将被测二****管的正****接测试表的“C”插孔内，负****插入测试表的“e”插孔，然后按下“V（BR）”键，测试表即可指示出二****管的反向击穿电压值。　也可用兆欧表和万用表来测量二****管的反向击穿电压、测量时被测二****管的负****与兆欧表的正****相接，将二****管的正****与兆欧表的负****相连，同时用万用表（置于合适的直流电压档）监测二****管两端的电压。如图4-71所示，摇动兆欧表手柄（应由慢逐渐加快），待二****管两端电压稳定而不再上升时，此电压值即是二****管的反向击穿电压。