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二****管特性

外加正向电压时,在正向特性的起始部分,正向电压很小,不足以克服PN结内电场的阻挡作用,正向电流几乎为零,这一段称为死区。这个不能使二****管导通的正向电压称为死区电压。当正向电压大于死区电压以后,PN结内电场被克服,二****管正向导通,电流随电压*而迅速上升。在正常使用的电流范围内,导通时二****管的端电压几乎维持不变,这个电压称为二****管的正向电压。当二****管两端的正向电压超过一定数值

,内电场很快被削弱,特性电流迅速增长,二****管正向导通。

叫做门坎电压或阈值电压,硅管约为0.5V,锗管约为0.1V。硅二****管的正向导通压降约为0.6~0.8V,锗二****管的正向导通压降约为0.2~0.3V。


半导体二****管

二****管的伏安特性 阳****:由P区引出的电****为阳****。

阴****:由N区引出的电****为阴****。

点接触型二****管,通过的电流小,结电容小,适用于高频电路和开关电路。

面接触型二****管,结面积大,电流大,结电容大,适用于低频整流电路。

平面型二****管,结面积较大时可以通过较大电流,适用于大功率整流,结面积较小时,可作为数字电路中的开关管。

按材料分有锗、硅或****;按结构分有点接触、pn结、pin、肖特基势垒、异质结;按原理分有隧道、变容、雪崩和阶跃恢复等。主要用于检波、混频、参量放大、开关、稳压、整流等。光通信发展后,出现发光、光电、雪崩光电、pin光电、半导体激光等二****管。

 


 

变容二****管(Varactor Diodes)又称"可变电*二****管"。是一种利用PN结电容(变容二****管势垒电容)与其反向偏置电压Vr的依赖关系及原理制成的二****管

主要参量是:零偏结电容、零偏压优值、反向击穿电压、中心反向偏压、标称电容、电容变化范围(以皮法为单位)以及截止频率等。

 

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