半导体前道设备_杭州半导体前道设备_晋宇达(多图)

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光刻机的品牌众多，根据采用不同技术路线的可以归纳成如下几类：****的投影式光刻机可分为步进投影和扫描投影光刻机两种，分辨率通常在十几纳米至几微米之间，****光刻机号称世界上****精密的仪器，世界上已有7000万美金的光刻机。****光刻机堪称现代光学工业之花，其制造难度之大，全世界只有少数几家公司能够制造。

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半导体光刻技术F(2)准分子激光*据国际半导体杂志Aaron Hand介绍，光源是几个研究单位联合研制的；13nm的波长太短，几乎所有材料都能吸收它，研制捕获这种光的装置十分困难；反射镜光学表面为非球面，表面形貌及粗糙度小于一个原子；所有光学元件表面涂有达40层的多层反射层，每层厚约λ/4，控制在0.1埃精度；EUV光刻采取新的环境控制，来*沾污；短波长，无缺陷掩模制作难度****大；样机采用nm级精度无摩擦的磁悬浮工作台。

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硅片直径300mm　要适合多代技术的需求

经济利益的驱动是硅片直径由200mm向300mm转移的主要因素，300mm的出片率是200mm的2.5倍，单位生产成本降低30%左右。300mm工厂****为15到30亿美元，其中约75%用于设备****，因此用户要求设备能向下延伸3至4代。300mm片径是从180nm技术节点切入的，这就要求设备在150 nm、130nm，甚至100nm仍可使用。