半导体,苏州晶淼半导体,芜湖半导体清洗台

     特殊的电应用（如高温、大功率以及超高速）和光应用（如蓝光发射或UV检测）中有不断增长的****性能的需求，这要求大大地改进硅以外的许多半导体的制造技术。

     这些材料的例子包括锗，因为它有高于Si的电子迁移率，有可能与高-k栅介质集成；加工应力沟道Si MOSFET所需的SiGe；以及碳化硅SiC，其带隙很宽。除了****的GaAs外，像GaN、InAs、InSb、ZnO等等一些Ⅲ-Ⅴ族半导体也越来越引起人们的兴趣。

     RCA清洗法：依靠溶剂、酸、表面活性剂和水，在不*晶圆表面特征的情况下通过喷射、净化、氧化、蚀刻和溶解晶片表面污染物、有机物及金属离子污染。在每次使用*后都要在超纯水（UPW）中*清洗。以下是常用清洗液及作用。

      MEMS制造的特点是，它含有3D精细图形的深刻蚀，并要求横向深刻蚀埋层氧化物的释放加工工艺。用常规的湿法刻蚀和清洗技术是不能完成从这种非常紧密的几何图形除去可能的刻蚀残留物，并确保悬臂梁和膜片的无静摩擦操作的。已经研究用无水HF/****（AHF/MeOH））牺牲层氧化物刻蚀工艺作为后者的可行解决方法。