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   RCA清洗法:自从20世纪70年代RCA清洗法问世之后,几十年来被*广泛采用。它的基本步骤****初只包括碱性氧化和酸性氧化两步,但目前使用的RCA清洗大多包括四步,即先用含*的酸性*进行酸性氧化清洗,再用含胺的弱碱性*进行碱性氧化清洗,接着用稀的****溶液进行清洗,****后用含盐酸的酸性*进行酸性氧化清洗,在每次清洗中间都要用超纯水(DI水)进行*洗,****后再用低沸点*进行干燥。

 



      为了半导体清洗技术能满足不断出现的新需求,必须对现有工艺进行调整和修改。随着纵向尺寸持续缩小,清洗操作过程中的材料损失和表面粗糙就会成为必须关注的领域。将微粒去除而又没有材料损失和图形损伤是****基本的要求,因此必须考虑周全并有所折衷。


     就清洗媒介来说,湿法清洗仍然是现代****晶圆清洗工艺的主力。虽然Si技术中的清洗化学材料与****初RCA的配方相差不大,但整体工艺****明显的改变包括:采用了非常稀释的溶液;简化工艺;广泛使用臭氧水。

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