半导体清洗_半导体清洗机价格_苏州晶淼半导体

     为了应对硅表面的非平面性问题，晶圆清洗技术至少受到三个不同前沿加工技术的挑战。首先涉及的是CMOS加工。在器件几何形状不断减小时，****数字CMOS技术方面的挑战是保持栅结构有足够的电容密度，这是在栅长度减小时维持足够高驱动电流所需要的。一个途径是采用比SiO2介电常数高的栅电介质，另一途径是通过三维结构MOS栅****以增加栅面积又不增加单元电路面积，再一个途径就是二者的结合。

      硅清洗技术经历了持续的发展改进，包括早期用气相等效物替代在湿*中进行的部分清洗操作。难以置信的是，现代****的Si清洗仍然依赖于大体上同一组化学溶液，不过它们的制备和送至晶圆的方法与****初提出的已大不相同。此外，传统上用湿清洗*做的表面选择清洗/修整功能现在是在气相中做的。

　　清洗设备在主要清洗物质依制程不同而清除对象而有所差异，Wet Station主要清除物质为污染微粒、Organic与 MetalIon、NativeOxide等。而单晶圆设备则对污染微粒与金属有较佳的去除效果。然而，随着半导体厂着重于缩短时间、降低成本、更好的制程表现、低污染与低耗能等诉求，目前全球各大设备厂也不断以单芯片清洗设备为主要研发机种。