管式炉,热科炉业管式炉,硅碳棒管式炉

产品优势：

这款管式炉以电阻丝（瑞典 Canthal A1）为加热元件，采用双层壳体结构和30段程序控温系统，移相触发、可控硅控制，炉膛采用氧化铝多晶纤维材料，具有温场均衡、表面温度低、升降温度速率快、节能等优点，是高校、科研院所、工矿企业做高温气氛烧结、气氛还原、CVD实验、真空退火用的理想产品.。

软件控制系统（选购）：该炉配有通讯接口和软件，可以直接通过电脑控制炉子的各个参数，并能从电脑上观察到炉子上PV和SV温度值和仪表的运行情况，炉子的实际升温曲线电脑会实时绘出，并能把每个时刻的温度数据保存起来，随时可以调出。

管式炉结构

炉管系统：

1、炉管：是炉子的重要部件，有辐射管和对流管。

炉管表面积就是加热炉的传热表面积。其金属耗量占炉子总钢耗量的百分之四十到五十，****占百分之六十以上。炉管直径有102mm 、127mm 、152mm

等几种，

    管壁厚度一般为6~12mm ，辐射管因其外壁受火焰直接辐射，管内受油品较高温度、压力和腐蚀联合作用，选材时应考虑材料的耐热性、耐高温强度及耐腐蚀性。

2、炉管连接件即炉管弯头，常见有箱式弯头和“U” 型弯头。

3、炉管支承件，常见的支承件有导向架和拉钩，以对立管导向或保持稳定。水平管则常用托管架，或挂管架支承

。对排列密集的炉管则用管板支承。对多路并联管为均匀分布各支路流体则用拔制集合管。

分类

CVD技术常常通过反应类型或者压力来分类，包括低压CVD(LPCVD)，常压CVD(APCVD)，亚常压CVD(SACVD)，超高真空CVD(UHCVD)，等离子体增强CVD(PECVD)，高密度等离子体CVD(HDPCVD)以及快热CVD(RTCVD)。然后，还有金属有机物CVD(MOCVD)，根据金属源的自特性来保证它的分类，这些金属的典型状态是液态，在导入容器之前必须先将它气化。不过，容易引起混淆的是，有些人会把MOCVD认为是有机金属CVD(OMCVD)。

过去，对LPCVD和APCVD****常使用的反应室是一个简单的管式炉结构，即使在今天，管式炉也还被广泛地应用于沉积诸如Si3N4 和二氧化硅之类的基础薄膜(氧气中有硅元素存在将会****终形成为高质量的SiO2，但这会大量消耗硅元素；通过*和氧气反应也可能沉积出SiO2 -两种方法均可以在管式炉中进行)。

****近，单片淀积工艺推动并导致产生了新的CVD反应室结构。这些新的结构中绝大多数都使用了等离子体，其中一部分是为了加快反应过程，也有一些系统外加一个按钮，以控制淀积膜的质量。在PECVD和HDPCVD系统中有些方面还特别令人感兴趣是通过调节能量，偏压以及其它参数，可以同时有沉积和蚀刻反应的功能。通过调整淀积：蚀刻比率，有可能得到一个很好的缝隙填充工艺。