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半导体清洗,吴江半导体清洗设备,苏州晶淼半导体

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半导体清洗,吴江半导体清洗设备,苏州晶淼半导体产品详情

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      MEMS制造的特点是,它含有3D精细图形的深刻蚀,并要求横向深刻蚀埋层氧化物的释放加工工艺。用常规的湿法刻蚀和清洗技术是不能完成从这种非常紧密的几何图形除去可能的刻蚀残留物,并确保悬臂梁和膜片的无静摩擦操作的。已经研究用无水HF/****(AHF/MeOH))牺牲层氧化物刻蚀工艺作为后者的可行解决方法。


氨水加氧化剂清洗液:

      在表面污物被氧化和刻蚀的同时也会发生MCP表面粗糙现象,造成MCP表面“发毛”和划道或路子等伤害,造成产品质量下降,因此应控制合适的温度和清洗时间,并及时用水*洗干净。


     RCA清洗法:依靠溶剂、酸、表面活性剂和水,在不*晶圆表面特征的情况下通过喷射、净化、氧化、蚀刻和溶解晶片表面污染物、有机物及金属离子污染。在每次使用*后都要在超纯水(UPW)中*清洗。以下是常用清洗液及作用。

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